企业简介
光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 main business:MOCVD设备及其关联设备、LED外延片的制造、加工及研发；自产产品的销售及其技术咨询服务。（上述经营范围不含国家规定禁止、限制外商投资和许可经营的项目） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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光达光电设备科技（嘉兴）有限公司的工商信息
- 330400400026996
- 存续
- 有限责任公司（台港澳与境内合资）
- 2011年07月21日
- 斯蒂芬.派瑞（STEPHEN DUANE PERRY）
- 1688.88 万美元
- 至 永久
- 嘉兴市市场监督管理局
- 2012年10月16日
- 海盐经济开发区东海大道588号2幢301室
- MOCVD设备及其关联设备、LED外延片的制造、加工及研发；自产产品的销售及其技术咨询服务。（上述经营范围不含国家规定禁止、限制外商投资和许可经营的项目）
光达光电设备科技（嘉兴）有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103911602A | 化学气相沉积设备的控制系统 | 2014.07.09 | 本发明公开一种化学气相沉积设备的控制系统，用于控制化学气相沉积设备进行沉积工艺，所述控制系统包括可编 |
| 2 | CN103911598A | 一种金属有机化学气相沉积设备 | 2014.07.09 | 本发明提供一种金属有机化学气相沉淀设备，包括腔体、设置有喷淋头的腔盖、带动所述腔盖开合的位移机构，和 |
| 3 | CN103911603A | 监控装置、监控方法及气相沉积设备 | 2014.07.09 | 本发明公开一种监控装置、监控方法及气相沉积设备，该监控装置监控气相沉积设备中的加热单元或被加热单元的 |
| 4 | CN103898477A | 一种衬底支承座 | 2014.07.02 | 本发明涉及化学气相沉积技术领域，尤其是一种衬底支承座，包括相对设置的衬底支撑盘和加热装置，所述衬底支 |
| 5 | CN103904169A | 一种LED外延结构的生长方法及其设备 | 2014.07.02 | 本发明涉及LED制备技术领域，这种LED外延结构的生长方法包括步骤Ⅰ：在第一反应腔中，在生长有第一半 |
| 6 | CN103898478A | 一种化学气相沉积设备及其托盘 | 2014.07.02 | 本发明涉及外延制作材料技术，尤其是一种化学气相沉积设备的托盘，所述托盘包括衬底承载面和多个限位件，所 |
| 7 | CN203653690U | 喷淋头 | 2014.06.18 | 本实用新型公开了一种喷淋头。所述喷淋头包括第一气体腔室和多个第二气体腔室，所述第一气体腔室位于所述第 |
| 8 | CN103849855A | 化学气相沉积设备及其用于该设备的承载机构 | 2014.06.11 | 本发明公开了一种化学气相沉积设备，其包括腔体，相对设置的进气装置和承载机构分别置于腔体的顶部和底部， |
| 9 | CN103824801A | LED外延片反应腔 | 2014.05.28 | 本发明公开了一种LED外延片反应腔，包括至少两个生长区域，该些生长区域相互分隔，每一生长区域均设置有 |
| 10 | CN103781207A | 连接柱夹紧装置及两板定位连接结构 | 2014.05.07 | 本发明公开了一种连接柱夹紧装置，包括支撑板，支撑板上设有贯穿槽及贯穿孔，紧固部件连接贯穿槽所分开支撑 |
| 11 | CN103556128A | 近距离耦合喷淋头及反应腔室 | 2014.02.05 | 本发明公开了一种近距离耦合喷淋头及反应腔室。所述近距离耦合喷淋头包括第一气体管道和第二气体管道，用于 |
| 12 | CN103540911A | 喷淋头的制作方法 | 2014.01.29 | 本发明公开了一种喷淋头的制作方法。包括：提供第一板，在所述第一板中形成多个第一通道和多个凹槽，所述凹 |
| 13 | CN103521956A | 分离式喷淋头结构 | 2014.01.22 | 本发明公开了一种分离式喷淋头结构，包括：气体分配部，至少具有第一气体分配腔室和第一气体管，所述第一气 |
| 14 | CN103526185A | 喷淋头及反应腔室 | 2014.01.22 | 本发明公开了一种喷淋头及反应腔室。所述喷淋头包括第一气体腔室，所述第一气体腔室具有自上而下相对设置的 |
| 15 | CN103436861A | 分离式喷淋头装置 | 2013.12.11 | 本发明公开了一种分离式喷淋头装置。该分离式喷淋头装置包括一个气体分配部和一个冷却部，该气体分配部包括 |
| 16 | CN203301919U | 电源系统 | 2013.11.20 | 本实用新型涉及一种电源系统，所述电源系统包括用于对半导体设备提供直流电源的电源装置，所述电源装置内具 |
| 17 | CN203222620U | 监控装置及气相沉积设备 | 2013.10.02 | 本实用新型公开了一种监控装置及气相沉积设备，该监控装置用于监控气相沉积设备中的加热单元，加热单元利用 |
| 18 | CN203150596U | 一种LED外延结构的生长设备 | 2013.08.21 | 本实用新型涉及LED制备技术领域，这种LED外延结构的生长设备，其包括第一反应腔、第二反应腔和连接所 |
| 19 | CN203096168U | 金属有机化学气相沉积设备 | 2013.07.31 | 本实用新型涉及一种金属有机化学气相沉积设备，所述金属有机化学气相沉积设备包括腔体，设置在所述腔体上部 |
| 20 | CN203049034U | 一种衬底支承座 | 2013.07.10 | 本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，尤其是一种衬底支承座，包括相对设置的衬底支撑盘和加热装置，所述衬 |
| 21 | CN203054550U | 半导体生产系统 | 2013.07.10 | 本实用新型涉及一种半导体生产系统，所述半导体生产系统包括生产设备和生产设备控制系统，所述生产设备控制 |
| 22 | CN203034139U | LED外延片反应腔 | 2013.07.03 | 本实用新型公开了一种LED外延片反应腔，包括至少两个生长区域，该些生长区域相互分隔，每一生长区域均设 |
| 23 | CN203026547U | LED外延结构 | 2013.06.26 | 本实用新型涉及一种LED外延结构。所述LED外延结构包括自下至上依次排列的衬底、缓冲层、牺牲层、N型 |
| 24 | CN203007405U | 一种金属有机化学气相沉淀设备 | 2013.06.19 | 本实用新型提供一种金属有机化学气相沉淀设备，包括腔体、设置有喷淋头的腔盖、带动所述腔盖开合的位移机构 |
| 25 | CN203007418U | 化学气相沉积设备的控制系统 | 2013.06.19 | 本实用新型公开一种化学气相沉积设备的控制系统，用于控制化学气相沉积设备进行沉积工艺，所述控制系统包括 |
| 26 | CN203007407U | 化学气相沉积设备 | 2013.06.19 | 本实用新型公开了一种化学气相沉积设备。采用了多个生长腔室，将沉积的多层材料层分在多个生长腔室内进行， |
| 27 | CN203007403U | 反应腔室 | 2013.06.19 | 本实用新型提供了一种反应腔室，所述反应腔室包括：腔体；设置于所述腔体内的托盘；设置于所述腔体内的旋转 |
| 28 | CN203007419U | 监控装置及气相沉积设备 | 2013.06.19 | 本实用新型公开一种监控装置及气相沉积设备，该监控装置监控气相沉积设备中的加热单元或被加热单元的温度， |
| 29 | CN203007408U | 反应腔室 | 2013.06.19 | 本实用新型公开了一种反应腔室。所述反应腔室包括腔体、设置在所述腔体顶部的喷淋头和设置在所述腔体底部且 |
| 30 | CN203007411U | 喷淋头及化学气相沉积设备 | 2013.06.19 | 本实用新型公开了一种喷淋头。包括顶板和气体分配板，所述顶板与所述气体分配板之间限定气体扩散腔；所述气 |
| 31 | CN203007404U | 化学气相沉积设备 | 2013.06.19 | 本实用新型公开了一种化学气相沉积设备。采用了多个生长腔室，将沉积的多层材料层分在多个生长腔室内进行， |
| 32 | CN203007406U | 加热装置及化学气相沉积设备 | 2013.06.19 | 本实用新型公开了一种加热装置。所述加热装置包括托盘和位于所述托盘下方的加热器，所述加热器包括多个加热 |
| 33 | CN203007414U | 一种化学气相沉积设备及其托盘 | 2013.06.19 | 本实用新型涉及外延制作材料技术，尤其是一种化学气相沉积设备的托盘，所述托盘包括衬底承载面和多个限位件 |
| 34 | CN203007479U | 衬底支撑结构及沉积装置 | 2013.06.19 | 本实用新型涉及一种衬底支撑结构，所述衬底支撑结构包括载板，所述载板上具有温度补偿板，所述温度补偿板内 |
| 35 | CN202995433U | 设备控制系统 | 2013.06.12 | 本实用新型提供设备控制系统，所述设备控制系统包括：至少一个工作站，每一工作站中设置有至少一个控制模块 |
| 36 | CN202995297U | 控制系统 | 2013.06.12 | 本实用新型涉及一种控制系统，所述控制系统包括：用于探测所述反应腔内的气体信息的探测单元；用于基于所述 |
| 37 | CN103132139A | 外延沉积设备、喷淋头和及其制造方法 | 2013.06.05 | 本发明涉及一种用于沉积外延材料层的外延沉积设备，用于所述外延沉积设备的喷淋头和制造所述喷淋头的方法。 |
| 38 | CN202954089U | 化学气相沉积设备及其用于该设备的承载机构 | 2013.05.29 | 本实用新型公开了一种化学气相沉积设备及其承载机构，该化学气相沉积设备包括腔体、进气装置及承载机构，其 |
| 39 | CN302445857S | 气相沉积系统 | 2013.05.29 | 1.外观设计产品的名称:气相沉积系统。2.外观设计产品的用途:用于金属有机化学气相沉积的系统。3.外 |
| 40 | CN302445855S | 气相沉积设备 | 2013.05.29 | 1.外观设计产品的名称:气相沉积设备。2.外观设计产品的用途:用于金属有机化学气相沉积的设备。3.外 |
| 41 | CN302445856S | 气相沉积设备 | 2013.05.29 | 1.外观设计产品的名称:气相沉积设备。2.外观设计产品的用途:用于金属有机化学气相沉积的设备。3.外 |
| 42 | CN202952024U | 部件辅助安装工具 | 2013.05.29 | 本实用新型提供一种部件辅助安装工具，所述部件辅助安装工具包括支架、支撑台和多个支撑轮，所述支架包括沿 |
| 43 | CN103114279A | 监控装置、监控方法及气相沉积设备 | 2013.05.22 | 本发明公开了一种监控装置、监控方法及气相沉积设备，该监控装置用于监控气相沉积设备中的加热单元，加热单 |
| 44 | CN103088416A | LED外延片沉积方法和LED外延片沉积设备 | 2013.05.08 | 本发明涉及一种LED外延片沉积方法及用于实施该方法的LED外延片沉积设备。所述LED外延片包括衬底、 |
| 45 | CN103096695A | 电源系统 | 2013.05.08 | 本发明涉及一种电源系统，所述电源系统包括电源装置，用于对半导体设备提供直流电源，所述电源装置内具有一 |
| 46 | CN103078028A | 衬底、衬底的制作方法和使用方法 | 2013.05.01 | 本发明实施例提供一种衬底、衬底的制作方法和使用方法，所述衬底的被动面形成有预切割通道，在形成LED器 |
| 47 | CN103076772A | 半导体生产系统 | 2013.05.01 | 本发明涉及一种半导体生产系统，所述半导体生产系统包括生产设备和生产设备控制系统，所述生产设备控制系统 |
| 48 | CN103071353A | 气体过滤处理结构、尾气处理系统和相应气体处理方法 | 2013.05.01 | 本发明提供一种气体过滤处理结构、尾气处理系统、MOCVD设备的尾气处理方法、延长MOCVD设备的过滤 |
| 49 | CN103074615A | 化学气相沉积设备 | 2013.05.01 | 本发明涉及一种化学气相沉积设备。所述化学气相沉积设备包括腔体、冷却装置、设置在所述腔体内的顶板和衬底 |
| 50 | CN103074675A | 气体系统 | 2013.05.01 | 本发明实施例提了一种气体系统，包括：设置有第一气体控制单元的第一气体管路，所述第一气体控制单元用于控 |
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